Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen a...
Die Reduzierung des weltweiten Energiebedarfs ist eine der wichtigsten Herausforderungen unserer Zeit. Die Minimierung der Verlustleistung bei der Umwandlung von elektrischer Energie kann hierzu einen bedeutenden Beitrag liefern. Leistungsbauelemente auf der Basis von Siliciumcarbid (SiC) haben das Potential, die materialabhängigen Grenzen heutiger auf Silicium basierter Leistungsbauelemente zu überwinden und damit erheblich zur Reduzierung der Verlustleistung beizutragen. Obwohl in der SiC ...